[한줄요약] 삼성전자가 차세대 V-NAND와 LPDDR5X-PIM 기술로 국제 반도체 컨퍼런스에서 2관왕에 올랐습니다.
2026년 8월 6일자 기사 기준,
삼성전자가 미국 캘리포니아에서 열린 'Future of Memory and Storage 2026(FMS 2026)' 컨퍼런스에서 차세대 메모리 기술력을 인정받아 두 개의 상을 수상했다는 기쁜 소식을 전해드려요! ✨
이번에 삼성전자는 '3D & NAND Innovation Award'와 'Next-Gen Memory Award'를 동시에 거머쥐었는데요. 어떤 기술들이 주목받았는지 함께 살펴볼까요?
먼저, V10 BV-NAND 기술로 '3D & NAND Innovation Award'를 수상했습니다. 이 기술은 400단 이상의 초고층 구조를 특징으로 하는 차세대 V-NAND 기술이에요. 웨이퍼를 수직으로 결합하는 본딩 기술과 3단 적층 구조를 통해 저장 용량은 늘리면서도 전력 소모와 발열은 줄이는 혁신적인 구조를 갖추고 있답니다.
또한, LPDDR5X-PIM 기술로 'Next-Gen Memory Award'를 수상하는 쾌거를 이뤘습니다. 이는 세계 최초로 LPDTR5X 메모리에 PIM(Processing-in-Memory) 기술을 통합한 저전력 DRAM 제품이에요. 데이터 이동을 최소화하여 성능과 전력 효율을 모두 높인 것이 특징이죠.
이러한 기술들은 앞으로 AI 가속기와 고성능 컴퓨팅(HPC) 시스템에서 핵심적인 역할을 할 것으로 기대된다고 하네요. 삼성전자의 끊임없는 기술 혁신, 정말 대단하죠? 앞으로의 활약도 함께 응원해 주세요! 😊